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下一代存储器技术预计

已有 657 次阅读  2010-04-05 21:59   标签下一代  存储器  技术  预计 
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主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND闪存、铁电存储器(FeRAM)和新兴的磁性存储器(MRAM),那么MRAM会成为下一代存储器吗?有没有可能未来市场上下一代存储器一统天下?

  华中科技大学电子系教授缪向水在IIC-China 2009秋季展武汉站上说,下一代存储器技术既不是MRAM,也不是FeRAM,而是目前还正处于研发阶段的相变存储器(PCM)。他预测,商业化PCM产品要到2012年前后才可能出来,目前大量应用的闪存发展到32nm节点后就到顶了,之后就将逐渐被PCM所取代。



  FeRAM尽管已上市很多年了,但其应用市场一直很有限,打不开,这也从另一方面说明了该技术的局限性。MRAM虽然比较新(已上市2-3年),但应用市场也有限,规模也上不去。尽管这两种存储器都有很多超越闪存的优点,但其市场表现说明市场对这些新优势的需求不是那么迫切,闪存的低成本对市场更有吸引力。



  MRAM的最大固有发展障碍是容量,由于位存储是靠电流产生的磁性来实现的,因此要实现大容量需要供给很大的电流,在越来越强调低功耗的今天,这一需求显然是和市场大趋势相违背的,因此MRAM不会成为下一代存储器。



  缪向水表示,目前Numonyx、英特尔和三星都在积极开发PCM,他们谁也不敢掉以轻心,因为谁在这场竞赛中输了,谁就要丢失整整一代存储器市场。

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